كتاب دراسة ترانزستور احادي الوصلة

يعتبر الترانزیستور وحيدة الوصلة ( U.J.T ) من العناصر الهامة الشائعة الاستعمال في دارات توليد النبضات ودارات التوقيت ودارات کشف المستوى ، كما أنه يستخدم كمفاتيح متحكم بها جهدية ولا يستخدم كمضخم . ، وكلمة ( U.J.T ) مشتقة من الكلمة الانكليزية ( Uni – junction Transistor ) ..

 

يتكون ترانزیستور وحید الوصلة من قضيب من السيليسيوم نصف الناقل نوع ( N ) ، يوضع وصلتان في نهايتيه التشكيل القاعدتين ( B2 – B1 ) ، لذلك يسمى أحيانا بالترانزیستور ذو القاعدتين ، وتوضع طبقة سیلیسیوم نصف ناقل نوع ( P ) في نقطة متوسطة بين القاعدتين أقرب إلى ( 81 ) منها إلى ( B2 ) لتشكل مشع الترانزیستور .

 

الدارة المكافئة لترانزيستور وحید الوصلة

الدارة المكافئة لترانزیستور وحید الوصلة يمكن اعتباره مبدئية مكونة من :
– و مقاومة ( RB1 ) تتشكل من القسم بين المشع ( E ) والقاعدة ( B1 ) .
– و مقاومة ( RB2 ) تتشكل من القسم بين المشع ( E ) والقاعدة ( B2 ) .
– ثنائي بين المشع ( E ) الذي يشكل المنطقة ( B ) للثنائي وجسم الترانزیستور الذي يشكل المنطقة ( N ) للثنائي .

 

محتويات كتاب دراسة ترانزستور احادي الوصلة:

– بنية الترانزستور وحيدة الوصلة
– الدائرة المكافئة لترانزستور وحيد الوصلة
– منحنيات الخواص المميزة لترانزستور وحيد الوصلة
– مولد نبضات أبرية – دارة قيادة حاكمة

تحميل الكتاب